ABB S-073H 3BHB009884R0004 高压变频框架IGCT相位模块

高压变频器如何更改相模块。可以直接挂网连接，你也可通过单独的双绕组变压器或集成变压器连接到电网而且适于直接电网连接或带输入隔离变压器应用

位二极管01、02，吸收二极管03、04，吸收电容。

其中，由功率组件构成的三电平电路，四个IGCT T1、T2、T3、T4依次出联连接干吸收二极管D3的阳极和吸收二极管D4的阳极之间，吸收二极管D3的阳极依次通过吸收电容CI、C2与吸收二极管D4的阴极电性相连，钳位二极管DI的阴极电

性连接于IGCT T1，T2之间的节点，销位二极管DI的阳极电性连接干吸收电容C1、C2

之间的节点，钳位二极管D2的阳极电性连接于IGCT T3、T4之间的节点，钳位二极管 D2的阴极电性连接于吸收电容CI、C2之间的节点。优选地，在本实施例中，IGCTT1、T2、T3、T4为逆导型IGCT。

进一步地，三电平电路还可以包括外围部件，例如电感L1、L2，电阻R1、R2.其中，电感LI的一端与IGCT TI电性相连，另一端与电阻RI的一端相连，电阻RI的另一端连接干吸收二极管D3和吸收电容CI之间的节点，电感L2的一端与IGCT T4电性相连，另一端与电阳R2的一端相连，电阴R2的另一端连接干吸收二极管D4和吸收电容 C2之间的节点。

四个IGCT 1132、了334，钳位二极管01、02，吸收二极管D3、D4呈线性依次排列成一整串状结构并且以中性点NP为界左右对称，两个吸收电容CI、C2设置在中性点NP的左右两侧。

[优选地，为了进一步加强不同器件之间绝缘性能，钳位二极管D2和IGCT T3之间、IGCT T2和钳位二极管DI之间绝缘隔离，即可以在钳位二极管D2和IGCT T3之间、IGCT T2和钳位二极管DI之间设置绝缘条6

相模块的三电平电路以中性点NP为界可分为左半桥和右半桥，左半桥包

括IGCT T3、T4，销位二极管D2，吸收二极管D4，右半桥包括IGCTT。T2，销位二

S-073N 3BHB009884R0021高压变频器相模块

极管D1，吸收二极管D3。相模块内部的所有电气连接方式即左半桥、右半桥的电气连接方式是通过连接母排和散热器来进行连接，如图3所示，右半桥的连接母排包括:针位二极管DI阴极与IGCT T2阳极间的连接母排11，钳位二极管DI阳极与钳位二极管D2阴极间的连接母排

S-076N 3BHB009884R0021变频器IGCT框架 调试

吸收二极管D3阴极与吸收电容CI间的连接母排9，吸收电容CI与中性点母排14间

的连接母排12，并且左半桥的连接母排与右半桥的连接母排完全对称，即左半桥的连接母排可以包括:销位二极管D2阳极与IGCTT3阴极间的连接母排，针位二极管D阳极与钳位二极管D2阴极间的连接母排、吸收二极管D4阳极与吸收电容C2间的连接母

非，吸收电容C2与中性点母排间的连接母排。相模块对外的电气连接母排包括:DC+A

排10(即正母排)、DC-母排16 (即负母排)、PH母排13 (即输入或输出母排)和NP母排14(即中性点母排)。

其中，上述连接母排在结构上是完全对称的，在尽可能缩短连接母排长度的前提

下，又能很好地保证左半桥，右半桥杂散电感的对称分布，有效实现了IGCT间参数的元配。同时为尽可能减小连接母排对功率组件的压装力的影响，相樟块内部的所有由气连接母排均采用软连接母排，软连接母排采用多层铜板或多层厚度极薄的紫铜带叠合而成。并目相模块对外的电气连接母排均采用硬质铜母排实现，并通过绝缘件对这些硬质铜母排进行紧固。

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